CN119736599A 一种超低内应力高熵柔性复合薄膜及其制备方法和制备装置 (北京市科学技术研究院).docxVIP

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  • 2026-06-17 发布于山西
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CN119736599A 一种超低内应力高熵柔性复合薄膜及其制备方法和制备装置 (北京市科学技术研究院).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119736599A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411919957.6

(22)申请日2024.12.25

(71)申请人北京市科学技术研究院

地址100089北京市海淀区西三环北路27

(72)发明人张一凡李倩庞盼侯庆艳金小越陈琳罗军廖斌

(74)专利代理机构北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11465

专利代理师齐宝玲

(51)Int.Cl.

C23C14/56(2006.01)

C23C14/20(2006.01)

C23C14/22(2006.01)

C23C14/32(2006.01)

C23C14/02(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图1页

(54)发明名称

一种超低内应力高熵柔性复合薄膜及其制

备方法和制备装置

(57)摘要

CN119736599A本发明属于薄膜制备技术领域,具体公开了一种超低内应力高熵柔性复合薄膜及其制备方法和制备装置,该制备装置为卷绕式复合离子束处理装置,薄膜由导辊带动由前至后依次穿过考夫曼离子源刻蚀系统、MEVVA离子共注入系统、磁过滤阴极真空弧共沉积系统、超低占空比高偏压脉冲磁过滤阴极真空弧共沉积系统

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