CN119736605A 用于形成金属硫化物层的方法、系统和设备 （Asm Ip私人控股有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119736605A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411348209.7

(22)申请日2024.09.26

(30)优先权数据

63/586,9092023.09.29US

(71)申请人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒

(72)发明人P·罗梅罗C·德泽拉M·吉文斯G·A·沃尼

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师王冉

(51)Int.Cl.

C23C16/30(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

用于形成金属硫化物层的方法、系统和设备

(57)摘要

CN119736605A公开了一种用于在衬底上沉积包含无氧金属硫化物的阈值电压偏移层的方法、系统和设备，其中沉积还包括：在反应室内提供具有表面的衬底，a)向反应室提供包含金属的无氧前体以接触表面，b)向反应室提供无氧含硫反应物以接触表面，c)吹扫反应室并重复操作a)、b)或c)或者其任意组合，直到预定厚度的阈值电压偏移层

CN119736605A

CN119736605A权利要求书1/2