突破与创新：AlGaN_GaN微波功率HEMT新结构新工艺探索.docx

突破与创新：AlGaN/GaN微波功率HEMT新结构新工艺探索

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1研究背景

随着科技的飞速发展，微波领域在现代通信、雷达、电子战以及航空航天等众多关键领域中扮演着愈发重要的角色。在5G/6G通信中，为了实现高速率、大容量的数据传输，需要高功率、高频率的微波器件来保障基站与终端设备之间稳定且高效的信号传输。在雷达系统里，无论是军事领域的目标探测与跟踪，还是民用领域的交通监测与气象预报，高功率微波器件能够提升雷达的探测距离与精度，从而增强对目标的识别能力。在电子战中，高功率微波武器凭借其强大的电磁脉冲，可对敌方的电子设备进行干扰与破坏，成为现代战争