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30V 11.5A N沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-18 发布于北京
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30V 11.5A N沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    1996年7月

    NNDT455NN沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    11.5A，30V。R=0.015@V10V

    这些N沟道逻辑电平增强型DS(ON)GS

    功率场效应晶体管是使用R=0.02@V=4.5V。

    DS(ON)GS

    国家特有的高单元密度

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