CN119741958A 一种基于sram的动态修补方法和sram测试与质量验证平台 （上海积塔半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119741958A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411442306.2

(22)申请日2024.10.15

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区云水路

600号

(72)发明人诸琳胡启誉

(74)专利代理机构北京清大紫荆知识产权代理

有限公司11718

专利代理师余中燕

(51)Int.Cl.

G11C29/12(2006.01)

G11C29/56(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种基于SRAM的动态修补方法和SRAM测试

与质量验证平台

(57)摘要

CN119741958A本发明公开了一种基于SRAM的动态修补方法和SRAM测试与质量验证平台，动态修补方法应用于SRAMTQV，且SRAMTQV上设置有虚拟冗余资源，所述动态修补方法包括对通过直流测试的晶圆进行一次功能测试和一次最小电压测试，并记录晶圆中所有失效区域的所有失效地址，所有失效区域包括一次功能测试失效区域和/或一次最小电压测试失效区域；根据预设算法将所有失效地址划分为对应的失效模式，失效模式包括块失效、字线失效和位线失效；获取修补算法，并根据修补算法