PLD编程技术详解与硬件特性探究.pptVIP

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  • 2026-06-18 发布于江西
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第二章PLD硬件特性与编程技术第1页17六月2026

2.1PLD概述图2-1基本PLD器件的原理结构图第2页

2.1PLD概述第3页

2.1PLD概述第4页

2.1PLD概述2.1.2PLD的分类从编程工艺上划分:1.熔丝(Fuse)型器件。2.反熔丝(Anti-fuse)型器件。3.EPROM型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件。4.EEPROM型。5.SRAM型。6.Flash型。第5页

2.2低密度PLD可编程原理第6页

2.2低密度PLD可编程原理第7页

2.2低密度PLD可编程原理第8页

2.2低密度PLD可编程原理第9页

2.2低密度PLD可编程原理第10页

2.2低密度PLD可编程原理第11页

2.2低密度PLD可编程原理第12页

2.2低密度PLD可编程原理第13页

2.2低密度PLD可编程原理缺点:PROM是采用固定的与阵列和可编程的或阵列组成的PLD,因为输入变量的增长会引发存放容量的急剧上升,只能用于简单组合电路的编程。 为了克服PROM缺点,出现了PLA(ProgrammableLogicArray),PLA是由可编程的与阵列和可编程的或阵列组成的,克服了PROM伴随输入变量的增长规模快速增长的问题。如图:第14页

2.2低密度PLD可编程原理第15页

2.2低密度PLD可编程原理第16页

2.2低

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