CN119743955A 一种提高浮栅型存储器数据保持力的方法及其产品 （浙江大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743955A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411882351.X

(22)申请日2024.12.19

(71)申请人浙江大学

地址310000浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

申请人浙江创芯集成电路有限公司

(72)发明人凌婉怡任堃高大为

(74)专利代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240

专利代理师朱亚冠

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/66(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种提高浮栅型存储器数据保持力的方法

及其产品

(57)摘要

CN119743955A本发明提出一种提高浮栅型存储器数据保持力的方法及其产品。主要通过高温退火改善多晶硅晶格结构，减少晶界；通过氢钝化降低晶界缺陷密度；再通过高k界面层的引入，优化界面质量。以上方法的协同作用最终形成了一个具备更少缺陷、更高电荷存储能力的多晶硅浮栅结构，大幅提高了浮栅型Flash存储器的数据保持性

CN119743955A

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