CN119743956A 一种存储器件及其控制方法与制造方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743956A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510231464.1

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人王文智王仲盛

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师张云鹏

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

G11C11/34(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图5页

(54)发明名称

一种存储器件及其控制方法与制造方法

(57)摘要

CN119743956A本申请提供一种存储器件及其控制方法与制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的存储器件的一个存储单元具有两个子单元并通过漏极互连，通过配置不同的电压信号能独立读取各个子单元内存储的阈值电压，以使每个子单元具有独立的存储能力，从而提高了存储器件内单个存储单元的存储能力，使存储器件能存储更多的信息。此外，两个子单元可以分别为P型存储子单元与N型存储子单元，形成了互补的半导体

CN119743956A

CN119