CN119743993A 沟槽结构、功率器件及其制备方法 （上海邦芯半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743993A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510239514.0

(22)申请日2025.03.03

(71)申请人上海邦芯半导体科技有限公司

地址201306上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房

(72)发明人王士京王兆祥梁洁张名瑜李俭王铃沣沈康

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师罗泳文

(51)Int.Cl.

H10D64/01(2025.01)

H01L21/308(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

H10D64/27(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

沟槽结构、功率器件及其制备方法

(57)摘要

CN119743993A本发明提供一种沟槽结构、功率器件及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底上形成图形硬掩模；对半导体衬底进行第一刻蚀，在第一气压下进行第一刻蚀阶段，以在半导体衬底中形成多个沟槽和半导体侧壁，然后原位在第二气压下进行第二刻蚀阶段，以在沟槽中形成圆弧形底部，第二气压大于第一气压；去除图形硬掩模；在沟槽中填充有机物，去除沟槽上部的有