CN119742231A 一种氧化层的制造方法及半导体器件 （北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742231A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411587003.X

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司

地址102600北京市大兴区北京经济技术

开发区核心区34M3地块

申请人中国科学院微电子研究所

(72)发明人杨红蒋松沂李俊杰卜伟海刘倩倩王晓磊罗军王文武

(74)专利代理机构北京知迪知识产权代理有限

公司11628

专利代理师梁佳美

(51)Int.Cl.

H01L21/3105(2006.01)

H10D1/66(2025.01)

权利要求书1页说明书9页附图3页

(54)发明名称

一种氧化层的制造方法及半导体器件

(57)摘要

CN119742231A本发明公开了一种氧化层的制造方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，以在低温环境下在半导体结构上形成高质量、高致密度、高可靠性、厚度调控范围大、且调控精度高的氧化层。所述氧化层的制造方法包括：提供半导体结构。接下来，在第一低温环境下，在半导体结构上形成第一氧化层。接下来，在第二低温环境下，对第一氧化层和部分半导体结构进行氧等离子体处理，以使第一氧化层形成第二氧化层；第二氧化层的