半导体超纯水站安全运行与应急处置规程（完全版）.docxVIP

半导体超纯水站安全运行与应急处置规程（完全版）

0前言

半导体制造工艺对超纯水水质要求极高，超纯水作为晶圆清洗、刻蚀、扩散、光刻全制程核心工艺介质，水中痕量金属离子、颗粒物、TOC、微生物一旦超标，会直接造成晶圆良率下降、芯片短路、器件失效等重大生产损失。同时超纯水站配套酸碱再生药剂、高压水泵、压力容器、UV杀菌设备、配电系统、循环管网存在机械伤害、化学品腐蚀、触电、淹水、火灾、管网爆管六大安全风险。

本规程依据《GB/T11446.1-2013电子级水》《GB/T32131-2015纯水系统安全运行规范》《AQ3027化学品储存使用安全规范》及半导体行业厂务运维通用标准编制，覆盖超纯水站人员安全管理、标准启停操作、分时巡检维保、化学品安全管控、设备常态故障处置、突发重大事故应急、停水保供预案、事故复盘与台账管理全部内容，适用于晶圆制造、显示面板、半导体封装测试全品类厂区超纯水制备及循环输送系统，为岗位操作人员、维保人员、应急管理人员提供唯一标准化作业依据，本规程为完全执行版本，替代所有旧版简易操作规程，全员必须严格遵照执行。

1适用范围与术语定义

1.1适用范围

1.1.1系统范围：原水预处理系统、多介质过滤器、活性炭过滤器、精密保安过滤器、一级/二级反渗透（RO）系统、EDI连续电除盐系统、抛光混床、终端UVTOC降解、终端超滤、厂区超纯水循环管网、回水系统、废