CN119743963A 功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 （英飞凌科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743963A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411342007.1

(22)申请日2024.09.25

(30)优先权数据

102023126033.22023.09.26DE

(71)申请人英飞凌科技股份有限公司

地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

(72)发明人F·普菲尔施H-J·舒尔茨V·范特里克

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001

专利代理师申屠伟进陈晓

(51)Int.Cl.

H10D12/00(2025.01)

H10D12/01(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/63(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D1/40(2025.01)

H10D80/20(2025.01)

权利要求书3页说明书14页附图29页

(54)发明名称

功率半导体器件和生产功率半导体器件的

方法

(57)摘要

CN119743963A本公开涉及功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法。功率半导体器件在单个芯片中包括：半导体本体，其被