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2025年半导体制造技术题库答案

1.简述极紫外光刻（EUV）在2nm及以下节点面临的核心挑战及2025年可能的技术突破方向。

EUV光刻因13.5nm波长的短波长特性，成为7nm以下先进制程的关键，但2nm节点面临三大核心挑战：其一，光源功率不足，当前主流EUV设备（如ASMLNXE:3600D）输出功率约250W，而2nm高吞吐量需求需提升至500W以上，高功率下等离子体稳定性与光学元件热损伤控制难度剧增；其二，掩模缺陷容忍度极低，EUV掩模采用多层Mo/Si膜反射结构，表面缺陷（如颗粒、膜层不均）会导致成像误差，2nm节点要求缺陷尺寸小于1nm，现有无缺陷掩模制备技术（如电子束修复