CN119742276A 半导体结构的制备方法及半导体结构 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742276A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510257027.7

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人宋富冉周儒领

(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限

公司42102

专利代理师许美红

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L21/3213(2006.01)

H01L23/532(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图7页

(54)发明名称

半导体结构的制备方法及半导体结构

(57)摘要

CN119742276A本发明公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成隔离层；在隔离层上形成特定结构的第一金属结构层；于第一金属结构层上形成自然氧化层；在自然氧化层上形成保护层；在保护层上形成掩膜层，以该掩膜层为掩膜向下刻蚀保护层和自然氧化层，形成预留的交叠结构位置；在预设条件下，于对应预留的交叠结构位置的第一金属结构层上形成后续氧化层；在后续氧化层上形成第二金属层，刻蚀该第二金属层形成交叠结构，且在刻蚀该第