CN119743962A 半导体装置以及半导体装置的制造方法 （富士电机株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743962A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411182035.1

(22)申请日2024.08.27

(30)优先权数据

2023-1665452023.09.27JP

2024-0926332024.06.06JP

(71)申请人富士电机株式会社地址日本神奈川县川崎市

(72)发明人桥爪悠一宫本辰

(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限

公司11286

专利代理师金玉兰周爽

(51)Int.Cl.

H10D8/60(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书3页说明书16页附图8页

(54)发明名称

半导体装置以及半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN119743962A本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，其通过形成低电阻的欧姆电极，而能够在维持低的Vf特性的同时提高浪涌电流耐量，并且能够减少泄漏电流。半导体装置具备有源区、第一导电型区、以及终端区。在有源区具有第一个第二导电型区、硅化物膜、以及第一电极，在终端区具有第二个第二导电型区。有源区由第一电极与硅化物膜接触的欧姆区、以及第一电极与第一导电型区接触的肖特基区构成。在