CN119743980A 一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管及其制造方法 （山东大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743980A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510251506.8

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人山东大学

地址250100山东省济南市历城区山大南

路27号

(72)发明人汉多科·林纳威赫陈曦冉崔鹏韩吉胜徐现刚

(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限

公司37219

专利代理师孙倩文

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管

及其制造方法

(57)摘要

CN119743980A本发明涉及一种高压平面栅金属一氧化物场效应晶体管及其制造方法，属于半导体器件领域，包括第一金属化层、第一半导体层和第二半导体层，在第二半导体层上形成第一半导体区和第二半导体区，在第二半导体区内形成第三半导体区，其上方设置有第四半导体区；在第二半导体区和第二半导体层上方依次设置栅极氧化层和多晶硅栅极，栅极氧化层与第四半导体区相邻无重叠；多晶硅栅极上方设置氧化物介质层，在第四半导体区、第二半导体区和第一半导体区上方形成欧姆接触