CN119744032A 太阳能电池接触结构的制备方法、接触结构和太阳能电池 （珠海富山爱旭太阳能科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119744032A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411320088.5

(22)申请日2024.09.20

(71)申请人珠海富山爱旭太阳能科技有限公司

地址519175广东省珠海市斗门区富山工

业园珠峰大道西6号139室

申请人浙江爱旭太阳能科技有限公司

(72)发明人于天水王永谦陈刚

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

专利代理师崔雅茹

(51)Int.Cl.

H10F77/30(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

H10F10/10(2025.01)

权利要求书1页说明书10页附图3页

(54)发明名称

太阳能电池接触结构的制备方法、接触结构

和太阳能电池

(57)摘要

CN119744032A本申请公开了一种太阳能电池接触结构的制备方法、接触结构和太阳能电池，该太阳能电池接触结构包括：提供半导体衬底；采用气态臭氧对半导体衬底的表面进行臭氧预处理，以使在半导体衬底表面生成第一氧化层；以第一氧化层作为种子层辅助生长第二氧化层，第一氧化层和第二氧化层构成隧穿氧化层；在隧穿氧化层背离半导体衬底的一侧形成掺杂层。通过对半导体衬底进行臭氧预处理，由于臭氧的强氧化性会在衬底