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笔记本维修用NDH8320C双沟道沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-23 发布于北京
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笔记本维修用NDH8320C双沟道沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    1996年12月

    N

    NDH8320C

    双N沟道和P沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用N通道3A，20V，R=0.06@V=4.5VR

    DS(ON)GS

    National专有的高单元密度DMOS技术制造。这种非常=0.075@V=2.7VP通道‑2A，‑20V，R

    DS(ON)GS

    高的密度工艺特别设计用于最小化导通电阻并卓=0.13@V=‑4.

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