CN119750588B 一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法 （深圳索理德新材料科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119750588B

(45)授权公告日2025.06.03

(21)申请号202510246762.8

(22)申请日2025.03.04

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119750588A

(43)申请公布日2025.04.04

(73)专利权人深圳索理德新材料科技有限公司

地址518000广东省深圳市光明区凤凰街

道塘尾社区光明大道380号尚智科技园1栋B座1505

(72)发明人聂雪伊慈立杰吉凤君王预李德平秦圆

(74)专利代理机构深圳卓瀚知识产权代理有限

公司441109

专利代理师杜娟

(51)Int.Cl.

C01B33/035(2006.01)

H01M4/36(2006.01)

H01M4/38(2006.01)

H01M4/62(2006.01)

C01B32/05(2017.01)

(56)对比文件

CN118954517A,2024.11.15审查员孟达

权利要求书2页说明书9页附图2页

(54)发明名称

一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法

(57)摘要

CN119750588B本发明提出一种非金属掺杂硅基负极材料的制备方法，包括以下步骤：制备具有层级孔隙结构的多孔炭基材；在所述多