CN119750538A 一种latp固态电解质及其自诱导晶体生长的方法 (天津国安盟固利新材料科技股份有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.33万字
  • 约 20页
  • 2026-06-20 发布于山西
  • 举报

CN119750538A 一种latp固态电解质及其自诱导晶体生长的方法 (天津国安盟固利新材料科技股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119750538A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510259133.9

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人天津国安盟固利新材料科技股份有限公司

地址301802天津市宝坻区九园工业园9号

(72)发明人雷体轶朱武孙禾翟玉斌

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

专利代理师陈蒙

(51)Int.Cl.

C01B25/45(2006.01)

H01M10/0562(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书1页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种LATP固态电解质及其自诱导晶体生长

的方法

(57)摘要

CN119750538A本发明属于电池材料技术领域。本发明提供了一种LATP固态电解质及其自诱导晶体生长的方法,所述方法包括将纯相LATP晶种、锂源、铝源、钛源及磷源混合,得到混合材料;再将所得混合材料进行烧结,得到LATP固态电解质。通过混料过程中采用纯相LATP作为固相晶体生长的“晶种”,诱导原料自发形成纯相LATP固态电解质,显著降低了杂质相含量,提高了固态电解质的离子电导率等性能,有效提升一致性和批次稳定性。由于纯相LATP晶种作为添加剂与

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档