CN119758621A 一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法 （北京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119758621A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411971299.5

(22)申请日2024.12.30

(71)申请人北京邮电大学

地址100876北京市海淀区西土城路10号

(72)发明人邱吉芳冯亚琪伍剑

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限

公司11002

专利代理师黄叶

(51)Int.Cl.

G02F1/035(2006.01)

G02F1/00(2006.01)

G02B6/12(2006.01)

G02B6/13(2006.01)

G02B6/132(2006.01)

G02B6/136(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及

其制备方法

(57)摘要

CN119758621A本发明涉及光电器件制备技术领域，尤其涉及一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法，钛酸钡电光调制器芯片包括衬底层、缓冲薄膜层、钛酸钡薄膜层、第一保护层、氮化硅薄膜、第二保护层和两个电极，通过钛酸钡薄膜层上的钛酸钡波导和氮化硅薄膜的氮化硅波导组成氮化硅+钛酸钡的多层波导材料结构，基于氮化硅波导的低损耗特性进行光的传输，调制时，光信号通过氮