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CN119710621A 一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法 （桂林电子科技大学）.pdfVIP

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  • 2026-06-20 发布于重庆
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CN119710621A 一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法 （桂林电子科技大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119710621A

    (43)申请公布日2025.03.28

    (21)申请号202411885009.5(51)Int.Cl.

    C23C16/40(2006.01)

    (22)申请日2024.12.19

    C23C16/448(2006.01)

    (71)申请人桂林电子科技大学

    地址541000广西壮族自治区桂林市七星

    区金鸡路1号

    申请人中国电子科技集团公司第三十四研

    究所

    (72)发明人张法碧冯光林周娟李海鸥

    孙

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