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近紫外LEDs中MOCVD外延技术的原理、应用与挑战

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，近紫外发光二极管（LEDs）作为一种新型的半导体发光器件，在诸多领域展现出了巨大的应用潜力。近紫外LEDs是指发光波长位于355-405nm波段范围的LED，其核心材料通常为GaN，由于GaN的禁带宽度为3.4eV，对应发光波长365nm，恰好处于近紫外波段。在白光照明领域，近紫外LEDs激发RGB三色荧光粉的方案成为研究热点，相较于传统的蓝光LED激发黄色荧光粉方案，它能有效避免蓝光危害，且可实现更高的显色指数（＞90），有望带来更健康、舒适的照明