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绝缘栅双极晶体管（IGBT）电热学特性的深度剖析与应用探索

一、引言

1.1IGBT概述

绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）作为电力电子领域的核心器件，自问世以来便在各类电气系统中扮演着举足轻重的角色。IGBT将双极结型晶体管（BJT）的低导通压降与金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗、易驱动等优点集于一身，成为一种全控型电压驱动式功率半导体器件。

从结构上看，IGBT是一种四层三端器件，包含栅极（G）、集电极（C）和发射极（E）。其内部结构可等效为一个由MOSFET驱动的厚基区PN