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模拟电路试题及解析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

半导体材料中的多数载流子的主要产生来源是以下哪一项

A.本征热激发产生

B.杂质电离产生

C.载流子扩散运动产生

D.载流子漂移运动产生

答案：B

解析：对于掺杂后的半导体，多数载流子的浓度由掺杂浓度决定，是杂质电离释放载流子形成的；选项A本征热激发产生的电子空穴成对出现，是本征半导体的载流子来源，掺杂半导体中数量远少于杂质电离产生的多子；选项C扩散运动是载流子的运动形式，不会产生新的载流子；选项D漂移运动是电场作用下的载流子运动形式，同样不会产生新的载流子。

常规硅材料二极管的正向导通典型压降数值为

A.0.1V左右

B.0.3V左右

C.0.7V左右

D.1.2V左右

答案：C

解析：硅二极管的正向导通压降典型值为0.7V左右；选项A不存在对应常规半导体二极管的导通压降，选项B是锗材料二极管的正向导通典型压降，选项D是大功率硅整流二极管的正向压降极限值，不属于常规典型值。

单管共射极放大电路的输出电压和输入电压之间的相位关系是

A.输出电压和输入电压相位完全相同

B.输出电压相位滞后输入电压90度

C.输出电压和输入电压相位反相180度

D.输出电压相位超前输入电压90度

答案：C

解析：共射放大电路具有天然的信号反相作用，输出和输入相位差为180度；选项A是共集电极放大电路的相位特性，