CN119342864A 一种宽禁带半导体沟槽栅mosfet结构及其制作方法 (湖北九峰山实验室).pdfVIP

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  • 2026-06-22 发布于重庆
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CN119342864A 一种宽禁带半导体沟槽栅mosfet结构及其制作方法 (湖北九峰山实验室).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119342864A

(43)申请公布日2025.01.21

(21)申请号202411871567.6H10D62/17(2025.01)

(22)申请日2024.12.18

(71)申请人湖北九峰山实验室

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区九龙湖街9号

(72)发明人袁俊成志杰郭飞王宽

吴阳阳陈伟

(74)专利代理机构武汉蓝宝石专利代理事务所

(特殊普通合伙)42242

专利代理师万畅

(51)Int.Cl.

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

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