CN119764252A 一种硅通孔形成方法及图像传感器 （格科微电子（上海）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764252A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202311285567.3

(22)申请日2023.09.28

(71)申请人格科微电子（上海）有限公司

地址201203上海市浦东新区张江镇盛夏

路560号2幢11层、12层

(72)发明人杨瑞坤

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/528(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

H10F39/12(2025.01)

权利要求书1页说明书3页附图5页

(54)发明名称

一种硅通孔形成方法及图像传感器

(57)摘要

CN119764252A本发明提供一种硅通孔形成方法，包括：在栅极形成之前，于半导体衬底第一侧面的通孔区域外围形成隔离层；在后续的第二侧面减薄工艺中，使所述通孔区域与所述半导体衬底隔离；之后于所述通孔区域刻蚀形成硅通孔。本发明使通孔区域采用与像素区域类似的工艺，通过多晶硅和/或介质层与外部隔离，使通孔区域内的衬底浮置。同时，在硅通孔中填充金属材料之前，不需要对通孔侧壁做介质隔离，简化了侧壁介质沉积

CN119764252A

CN119764252A权利要求书