N沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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N沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

1995年11月

2N7000/2N7002/NDS7002AN沟道增强型场效应晶体管

概述特点

这些N沟道增强型场效应晶体管DS(ON)

度单元设计以实现低R。

采用飞兆专有的高单元密度技术生产。电压控制的小信号开关。

DMOS技术。这些产品设计旨在最小化导通电阻,同时坚固、可靠的性

能。坚固可靠。

并且具有快速开关性能。它们可以用于大多数应用中。

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