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2026年长鑫存储社招在线笔试真题及满分答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM单元中，用于存储“1”与“0”的物理量本质是

A.电容电荷量差异?B.晶体管导通电阻?C.位线电压高低?D.字线电流方向

2.28nm以下节点为抑制短沟道效应而普遍引入的沟道工程是

A.高k金属栅?B.应变硅?C.超陡倒掺杂?D.FinFET三维结构

3.下列哪一项最直接影响DRAM刷新间隔tREF的设定

A.单元漏电流?B.位线寄生电容?C.读出放大器增益?D.字线RC延迟

4.在铜双大马士革工艺中，防止Cu扩散的阻挡层材料通常选用

A.Ti?B.Ta/TaN?C.W?D.Co

5.用于评价光刻胶分辨率能力的参数是

A.对比度γ?B.临界尺寸均匀性CDU?C.曝光宽容度EL?D.归一化图像对数斜率NILS

6.当BL-to-BL耦合噪声占主导时，最有效的版图级对策是

A.折叠位线结构?B.开放位线结构?C.增加位线间距?D.降低位线电压

7.3DNAND中，实现垂直方向单元串联通的关键工艺是

A.高深宽比刻蚀+侧壁沉积?B.激光退火?C.多层外延?D.氧氮氧ONO沉积

8.在JEDECJESD79-5DDR5标准中，决定突发长度BL的管脚是