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- 2026-06-25 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119696901A
(43)申请公布日2025.03.25
(21)申请号202411871696.5G06F18/23(2023.01)
G06N3/094(2023.01)
(22)申请日2024.12.18
G06F18/214(2023.01)
(71)申请人武汉二进制半导体有限公司
地址430000湖北省武汉市武汉东湖新技
术开发区金融港一路7号神州数码武
汉科技园27栋8楼8002室04号(自贸区
武汉片区)
(72)发明人
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