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光刻机全系统设计计算书.docxVIP

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  • 2026-06-24 发布于陕西
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光刻机全系统设计计算书.docx

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    光刻机全系统设计计算书

    第1章设计概述与设计依据

    1.1设计目标

    本设计计算书针对193nmArF准分子激光步进扫描光刻机，目标技术节点为90nm，主要设计指标如下：

    设计参数

    目标值

    备注

    曝光波长λ

    193nm

    ArF准分子激光

    分辨率R

    ≤90nm

    最小可分辨特征尺寸

    数值孔径NA

    ≥0.75

    投影物镜像方

    焦深DOF

    ≥300nm

    曝光工艺窗口

    套刻精度Overlay

    ≤25nm

    层间对准精度

    照明均匀性

    ≤±1%

    掩模面照明光场

    产能Throughput

    ≥120片/小时

    300mm晶圆

    1.2设计依据与引用标准

    本设计依据以下标准和规范：

    SEMIP1-92：光刻

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