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电子工程模拟电路试卷及分析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

常温下常规硅材料制作的PN结正向导通时，典型的正向压降数值范围是以下哪一项

A.0.1V至0.2V

B.0.6V至0.8V

C.1.5V至2V

D.3V至5V

答案：B

解析：硅材料PN结的内建电势差约为0.7V，正向导通时压降稳定在0.6至0.8V区间。选项A是锗材料PN结的正向导通压降范围，选项C是发光二极管的正向压降区间，选项D是稳压二极管反向击穿后的典型压降区间，其余三个选项均不符合常规硅PN结的特性。

双极型三极管正常工作在放大状态时，对应的偏置条件是以下哪一项

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：A

解析：只有满足发射结正偏才能实现载流子从发射区向基区的注入，集电结反偏才能保证注入基区的绝大多数载流子被集电极收集，实现电流放大。选项B对应的是三极管反向放大状态，增益极低无实用价值，选项C对应的是饱和状态，选项D对应的是截止状态，三个选项均无法实现线性电流放大。

共发射极组态的基本单管放大电路，输入信号与输出信号之间的相位关系是以下哪一项

A.同相，相位差0度

B.正交，相位差90度

C.反相，相位差180度

D.正交，相位差270度

答案：C

解析：共射放大电路的输出信号取自集电极电阻两端，