CN119695060A 一种利用原子层沉积制备含有亚纳米尺度离子传导改善层的多孔碳结构的方法及应用 (中山大学).pdfVIP

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  • 2026-06-24 发布于重庆
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CN119695060A 一种利用原子层沉积制备含有亚纳米尺度离子传导改善层的多孔碳结构的方法及应用 (中山大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119695060A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411850630.8H01M4/36(2006.01)

H01M4/04(2006.01)

(22)申请日2024.12.16

H01M4/38(2006.01)

(71)申请人中山大学

H01M4/62(2006.01)

地址510275广东省广州市海珠区新港西

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