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硅片检验试题及详细答案

一、填空题（每空2分，共20分）

硅片按导电类型可分为______和______，其中半导体器件常用的是______。

硅片表面常见的缺陷有______、______、划痕、沾污四种。

硅片厚度检验时，需选取______个均匀分布的测试点，取______作为最终厚度值。

硅片的电阻率单位是______，检验时需排除______对测试结果的影响。

二、选择题（每题3分，共30分，单选）

下列哪种缺陷会直接影响硅片的导电性，导致器件性能异常（）

A.轻微沾污B.崩边C.位错D.细小划痕

硅片表面清洁度检验，通常采用的观察方式是（）

A.肉眼直接观察B.放大镜（10-20倍）观察C.显微镜（100倍以上）观察D.无需观察，直接擦拭

关于硅片厚度公差，下列说法正确的是（）

A.厚度公差越大，硅片质量越好B.不同规格硅片的厚度公差一致C.厚度公差需符合客户订单要求D.厚度偏差可忽略不计

硅片电阻率测试中，常用的测试方法是（）

A.万用表直接测量B.四探针法C.欧姆表测量D.电压表测量

下列哪种沾污属于化学沾污，会腐蚀硅片表面（）

A.