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200V 9.5A N沟道增强型功率MOSFET特性与应用.pdf

200V 9.5A N沟道增强型功率MOSFET特性与应用.pdf

    2013年3月

    FQP10N20C/FQPF10N20CN沟

    道QFETMOSFET200V,9.5A,360m

    描述

    此N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild特性

    •9.5A,200V,RDS(导通)=360m(最大)@V

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