CN119786399A 一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质 （亿芯微半导体科技(深圳)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786399A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510281293.3

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人亿芯微半导体科技（深圳）有限公司

地址518000广东省深圳市坪山区坑梓街

道金沙社区临惠路21号中城生物医药

产业园2栋5C

(72)发明人周永强罗旺宝张仁福刘伯阳王家清

(74)专利代理机构北京华艺德嘉知识产权代理

有限公司16326

专利代理师李斌

(51)Int.Cl.

H01L21/67(2006.01)

G06F17/10(2006.01)

G06N20/00(2019.01)

权利要求书3页说明书12页附图2页

(54)发明名称

一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及

存储介质

(57)摘要

CN119786399A本发明涉及数据处理的技术领域，提供了一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质，包括获取半导体刻蚀工艺在刻蚀过程中的实时数据并进行预处理，得到清洗后的数据集后提取出关键特征生成刻蚀状态权重矩阵，对刻蚀腔室的气压分布参数进行优化调整，得到气压设定值；获取刻蚀腔室的温度分布数据，对气压设定值和温度分布数据进行计算，得到射频功率设定值；利用射频功率设定值和气压设定值