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- 2026-06-26 发布于广东
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GC085N65QF
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheGC085N65QFusesadvancedtrenchtechnologyto
provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin
awidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
lVDS650V
lI(atV10V)40ASchematicdiagram
DGS
lRDS(ON)(atVGS10V)85mΩ
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