原创力文档2026年半导体物理核心学习资料
考试时间：______分钟总分：______分姓名：______
到半导体上时如果光子能量大于能隙会发生什么主要过程产生电场产生热量产生电子空穴对发生折射描述载流子在电场作用下定向移动的物理量是扩散系数迁移率载流子浓度电动势半导体器件的结势垒高度主要取决于掺杂浓度温度能隙宽度电场强度二多选题每题有多个正确
一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）
1.在绝对零度下，本征硅的能带结构中，导带底和价带顶之间存在的能量间
隙称为
2026年半导体物理核心学习资料
考试时间：______分钟总分：______分姓名：______
到半导体上时如果光子能量大于能隙会发生什么主要过程产生电场产生热量产生电子空穴对发生折射描述载流子在电场作用下定向移动的物理量是扩散系数迁移率载流子浓度电动势半导体器件的结势垒高度主要取决于掺杂浓度温度能隙宽度电场强度二多选题每题有多个正确
一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）
1.在绝对零度下，本征硅的能带结构中，导带底和价带顶之间存在的能量间
隙称为
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