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- 2026-06-26 发布于山西
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119789416A
(43)申请公布日2025.04.08
(21)申请号202410137650.4
(22)申请日2024.01.31
(30)优先权数据
18/377,7852023.10.07US
(71)申请人南亚科技股份有限公司
地址中国台湾新北市泰山区南林路98号
(72)发明人蔡镇宇
(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270
专利代理师康艳青张铮铮
(51)Int.Cl.
H10B12/00(2023.01)
权利要求书2页说明书8页附图14页
(54)发明名称
存储器元件以及其制作的方法
(57)摘要
CN119789416A一种存储器元件,包含基板、第一字元线结构、第一介电层、介电衬垫和位元线结构。第一字元线结构位于基板中,并包含第一底导电材料和第一顶导电材料,其中第一底导电材料的顶表面比第一顶导电材料的底表面宽。第一介电层在第一字元线结构之上。介电衬垫衬于第一字元线结构。位元线结构位于该基板之上。其可降低在字元线结构和位元线结构之间的电容,并可进一步
CN119789416A
CN119789416A权利要求书1/2
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