CN119789503A 半导体装置及其制造方法 （安靠科技新加坡控股私人有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789503A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202411888028.3

(22)申请日2017.05.15

(30)优先权数据

15/445,5682017.02.28US(62)分案原申请数据

201710337464.52017.05.15

H01L23/48(2006.01)

H01L21/98(2006.01)

(71)申请人安靠科技新加坡控股私人有限公司地址新加坡市

(72)发明人李文古杜旺朱易吉寒

(74)专利代理机构北京寰华知识产权代理有限

公司11408

专利代理师郭仁建林文雄

(51)Int.Cl.

H10D80/30(2025.01)

H01L23/31(2006.01)

权利要求书3页说明书18页附图7页

(54)发明名称

半导体装置及其制造方法

(57)摘要

CN119789503A半导体装置及其制造方法。本发明公开了一种半导体装置包括：第一基板；第一金属柱，其在所述第一基板的第一侧上；第一半导体晶粒，其耦合到所述第一基板的所述第一侧；第二金属柱，其在所述第一金属柱上；第二半导体晶粒，其耦合到所述第一半导体晶粒；第二基板，其在所述第二金属柱上和所述第二半导体晶粒上；以及囊封材料