CN119789778A 半导体结构及其制造方法 (华邦电子股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-06-26 发布于山西
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CN119789778A 半导体结构及其制造方法 (华邦电子股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789778A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202311814753.1

(22)申请日2023.12.27

(30)优先权数据

1121384822023.10.06TW

(71)申请人华邦电子股份有限公司地址中国台湾台中市

(72)发明人吴金能

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

公司11127

专利代理师薛平

(51)Int.Cl.

H10N97/00(2023.01)

权利要求书2页说明书6页附图12页

(54)发明名称

半导体结构及其制造方法

(57)摘要

CN119789778A本申请提供一种半导体结构及其制造方法,包括:一基板,具有一第一侧与一第二侧,该第二侧相对于该第一侧;一后段工艺层,设置于该基板的该第一侧;多个第一金属结构,贯穿该基板;以及多个第二金属结构,设置于该基板中,自该基板的该第二侧朝该第一侧延伸,与所述多个第

CN119789778A

CN119789778A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体结构,其特征在于,包括:

一基板,具有一第一侧与一第二侧,该第二侧相对于该第一侧;

一后段工艺层,

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