自旋电子学材料课件.pptVIP

自旋电子学材料的

计算模拟与设计

1988:巨磁阻效应(GMR)2007年诺贝尔物理学奖自旋电子学TheNobelPrizeinPhysics2007AlbertFertPeterGrünberg传统电子学: 电子的电荷自由度自旋电子学: 电子的自旋自由度

优势：运算速度更快,高集成度,低能耗等

自旋电子学解决这些关键科学问题依赖于新型自旋材料设计！自旋电子学中三个基本科学问题:怎样产生和注入自旋极化？怎样在器件中实现自旋输运？怎样有效的实现自旋操纵？

我们的工作自旋产生与注入：设计了实验上易于制备的室温半金属以及不含金属原子的半金属材料自旋输运：提出非对称反铁磁半导体的新概念，并在此基础上设计了室温磁性半导体材料自旋操控：通过提出双极磁性半导体的新概念，设计了一系列BMS材料，可以实现电场对自旋极化的控制

自旋产生：半金属HalfMetal半金属一个自旋通道为金属，另一个自旋通道为绝缘体，是一种理想的产生自旋极化的材料。金属通道绝缘体通道EF半金属能隙

我们先前设计的工作(I)JACS(2006)128,2310铁磁耦合的过渡金属苯环夹心化合物链

JACS(2008)130,4224不对称边界修饰的锯齿型石墨烯纳米条带我们先前设计的工作(II)

JACS(2012)134,5718基于B或N掺杂的三角形石墨烯片分子得