CN119789428A 存储器装置及其制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789428A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202410505355.X

(22)申请日2024.04.25

(30)优先权数据

10-2023-01316992023.10.04KR

(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人李南宰

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

公司11127

专利代理师李辉

(51)Int.Cl.

H10B43/27(2023.01)

H10B43/35(2023.01)

H10B43/50(2023.01)

H10B43/40(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

H10B41/35(2023.01)

H10B41/50(2023.01)

H10B41/41(2023.01)

权利要求书3页说明书11页附图28页

(54)发明名称

存储器装置及其制造方法

(57)摘要

CN119789428A本申请涉及存储器装置及其制造方法。一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包括：形成在单元区域和传输晶体管区域上的栅极层叠物；在单元区域的栅极层叠物中沿垂直方向延伸的多个单元插塞；通过穿过传输晶体管区域的栅极层叠物而沿垂直方向延伸的多个栅极接触