CN119789479A 一种Fin FET器件及其制造方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789479A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510278314.6

(22)申请日2025.03.10

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人陈涛钱阳钱坤

(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理

有限公司11449

专利代理师甄丹凤

(51)Int.Cl.

H10D30/62(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图22页

(54)发明名称

一种FinFET器件及其制造方法

(57)摘要

CN119789479A本申请公开了一种FinFET器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，FinFET器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的鳍形结构，鳍形结构在第一方向延伸；阱区，位于鳍形结构的下部；STI结构，位于半导体衬底上，且位于相邻的阱区之间；栅叠层结构，在与第一方向相交的第二方向延伸，