CN119789507A 一种半导体结构的制作方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789507A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510273245.X

(22)申请日2025.03.10

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人马亚强周纪冯孔孔苏圣哲罗钦贤

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图6页

(54)发明名称

一种半导体结构的制作方法

(57)摘要

CN119789507A本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，包括提供基底、形成多个相互分隔设置的栅极结构位于所述基底上以及位于其两侧侧壁上的间隙壁，其中，所述间隙壁和所述基底的表面包括至少含有氢元素、氧元素和硅元素的官能团，对所述间隙壁的表层及其两侧的所述基底的表层进行预处理，以使所述间隙壁的表层所包含的官能团数量与位于其两侧的所述基底的表层所包含的官能团的数量之差处于误差范围内，即通过减少和/或增加间隙壁的表层及其两侧的基底的表层中所含官能