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光电工艺考核试题及答案

一、选择题（单选题）

1.在半导体光刻工艺中，为了提高光刻的分辨率，通常采用的措施不包括：

A.使用短波长光源

B.增大数值孔径（NA）

C.增大光刻胶的厚度

D.采用浸没式光刻技术

2.下列哪种外延生长方法最适合生长高质量的GaN（氮化镓）材料，用于制备LED或激光器？

A.液相外延（LPE）

B.分子束外延（MBE）

C.金属有机源化学气相沉积（MOCVD）

D.气相外延（VPE）

3.在硅的湿法氧化工艺中，氧化剂通常采用水蒸气（O）。相比于干法氧化（），湿法氧化的特点是：

A.氧化速率更慢，氧化层致密度更高

B.氧化速率更快，氧化层致密度较低

C.氧化速率与干法氧化相同，但温度更低

D.仅用于生长超薄氧化层

4.离子注入工艺中，为了保证杂质分布的均匀性并减少沟道效应，通常采取的措施是：

A.增大注入角度，使离子束偏离晶圆法线方向（如7°倾斜）

B.提高注入能量

C.增加注入剂量

D.降低晶圆温度

5.在PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺中沉积S（氮化硅）薄膜时，该薄膜的主要用途是：

A.作为光刻胶

B.作为最终的金属互连层

C.作为钝化层和应力调控层

D.作为牺牲层

6.光刻工艺中的“软烘焙”步骤，其主要目的是：

A.使光刻胶完全交联固化，耐酸碱腐蚀

B.蒸发光刻胶中的溶剂，提高胶膜与衬底