CN119800490A 导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉 （西安交通大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119800490A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510293284.6

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人西安交通大学

地址710049陕西省西安市碑林区咸宁西

路28号

(72)发明人李早阳王君岚刘立军

(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319

专利代理师陈宏

(51)Int.Cl.

C30B15/34(2006.01)

C30B29/16(2006.01)

权利要求书3页说明书23页附图25页

(54)发明名称

导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模

具和生长炉

(57)摘要

CN119800490A本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉，涉及晶体生长技术领域；所述方法包括：基于包括待设计模具的晶体生长炉和氧化镓晶体确定结晶界面；在待设计模具的顶部边沿与结晶界面边沿之间的最大距离小于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下，对待设计模具进行一次凹槽处理；在最大距离等于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下，对待设计模具进行二次凹槽处理，直至结晶界面满足目标条件；在最大距离小于或者等于目标距离并且结晶界面满足目标条件的情况下，将待设计模具确定为目标模具。本