CN119800493A 一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法 （苏州优晶半导体科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119800493A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510300974.X

(22)申请日2025.03.14

(71)申请人苏州优晶半导体科技股份有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市开发区

杜鹃路555号A6#厂房申请人江苏科技大学

(72)发明人蔡金荣陈建明袁长路赵文超张江涛张礼华陈曙光王叶松裴永胜

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师刘锋

(51)Int.Cl.

C30B23/00(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使

用方法

(57)摘要

CN119800493A本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚包括坩埚本体、长晶罩和备料仓。长晶罩罩设于坩埚本体上，长晶罩的内顶面设置有长晶台，长晶罩设置有翼板，翼板活动设置于备料仓和坩埚本体之间，备料仓的底部开设有出料口，翼板开设有过料口，出料口与过料口错位设置，长晶罩用于带动翼板运动至预设位置，以使过料口与出料口连通。与现有技术