CN119798268A 含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用 （华南理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119798268A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510295652.0

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人华南理工大学

地址510640广东省广州市天河区五山路

381号

(72)发明人唐本忠王志明李保玺曲亚东张翰

(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限

公司44102

专利代理师江裕强

(51)Int.Cl.

C07D487/22(2006.01)

C07D471/22(2006.01)

C07F5/02(2006.01)

C07F7/08(2006.01)

C07F7/10(2006.01)

C09K11/06(2006.01)

H10K50/11(2023.01)

H10K85/30(2023.01)

H10K85/40(2023.01)

H10K85/60(2023.01)

权利要求书9页说明书19页附图8页

(54)发明名称

含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制

备方法与应用

(57)摘要

CN119798268A本发明公开了一种含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用。本发明的含八元氮杂稠环的有机半导体材料的结构式为式（I）一式（IX）。本发明