ArFi光刻胶：先进制程芯片制造的关键材料.docxVIP

QYResearch｜全球行业调研报告

QYResearch｜全球行业调研报告

Copyright?QYResearch|market@|

ArFi光刻胶是指用于193纳米ArF浸没式光刻工艺的高端半导体光刻材料，其核心组成通常包括193纳米高透过性主体树脂、光酸产生剂、淬灭剂、溶剂和功能添加剂，曝光时通过氟化氩准分子激光与浸没介质配合实现精细图形转移。相比普通ArF干式光刻胶，ArFi光刻胶对低缺陷、低金属离子、低线边粗糙度、浸没水兼容性、抗水渗透、膜厚均匀性、焦深窗口、显影稳定性和批次一致性要求更高，主要用于先进逻辑芯片、DRAM、NANDFlash、CIS图像传感器和部分先进封装工艺。其典型单次曝光分辨率约35纳米至45纳米，配合双重图形化、多重图形化、侧墙转移和硬掩模工艺后，可支持28纳米及以下先进制程中的部分关键层图形加工。

近些年，光刻胶行业受到各级政府的高度重视和产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策支持光刻胶行业发展，为光刻胶行业的发展提供了良好的外部环境。

光刻胶产业链多环节亟待突破。从供给端来看，树脂、单体、光引发剂等原料国产化率低，进口难度大。而高端光刻胶对树脂性能要求高，且需一一对应；单体合成技术难度较大，对稳定性、纯度要求高，价格较贵，同时，感光剂影响光刻胶性能，高端产品价格高。制造方面，光刻胶的配方技术复杂、研发投入大，对产品的稳定性